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英国OssilaUVO
关于CIF
CIF 来源于美洲,服务于中国,是一家集实验室仪器设备研发、制造、销售、服务、产品应用为一体的专业化集团公司,在半导体材料表面处理技术和无机样品前处理技术领域为客户提供先进的、高品质的实验仪器设备和应用工艺解决方案。
CIF 中国总部坐落于北京企业孵化中心 (IBI),公司具有自主进出口权,并已通过 ISO9001-2008 质量管理体系认证,全系列产品通过CE认证。
CIF 自成立以来,始终坚持以科技创新和发展为宗旨,发扬 诚信、务实、协作、共赢 的企业精神 , 为包括我们的股东、员工、客户乃至商业伙伴在内的所有人提供创造和实现他们美好梦想的机会!
CIF目前主要生产产品
半导体材料表面处理仪器:等离子清洗机、紫外臭氧清洗机、匀胶机、烤胶机。
无机样品前处理通用仪器:亚沸酸蒸清洗器、真空赶酸系统、酸纯化器、智能消解仪、恒温电热板、实验室废液收集系统。
CIF发展历程
2006年,CIF在美国加州洛杉矶注册成立赛福集团有限公司(CIF International Group Co.,Ltd)。初是一家面向大学研究所销售仪器设备的供应商。
2008年,CIF自主研发生产石墨电热板以来,先后研发生产全自动酸蒸逆流清洗器、酸纯化器、智能消解仪等前处理仪器设备。
2010年,CIF经过多年不懈努力,掌握了等离子核心技术--等离子激发电源,自主研发生产材料表面处理仪器设备等离子清洗机。
2014年,CIF在中国注册成立华仪行(北京)科技有限公司,正式进入中国市场拓展业务,主要负责仪器设备在中国市场的宣传、推广、销售、产品应用及服务工作。
2015年,CIF自主研发生产专为处理粉体样品而设计转瓶等离子清洗机。
2016年,CIF自主研发生产真空赶酸系统。
2017年,CIF自主研发生产材料表面清洗设备,紫外臭氧清洗机(UVO)。
2018年, CIF 在中国建厂设立独资子公司---赛福仪器承德有限公司(CIF Instruments Chengde Co.,Ltd)(以下简称CIF Scientific),部分研发制造业务移至中国,并增加实验室氟材料耗材的加工定制业务,目地是让实验室都用上实惠的耗材。
2019年,CIF自主研发生产匀胶机及电镜(SEM, FIB and TEM)等离子清洗机等仪器设备。
......
样品前处理领域仪器:酸蒸逆流清洗器、真空赶酸系统、酸纯化器、智能消解仪、恒温电热板。 半导体应用领域仪器:等离子清洗机(plasma cleaner)、紫外臭氧清洗机(UV-Ozone)、匀胶机、烤胶机、离子溅射镀膜仪。
英国Ossila公司提供的紫外臭氧清洗机(UVO),是一种简单,经济,快速的材料表面清洗设备,只需把样品放置到样品盘上,关上舱门,设置时间,并按运行,就可以了,能快速去除大多数无机基材(比如石英,硅片,金,镍,铝,砷化镓,氧化铝等)上的有机污染物。特别是当基材和薄膜蒸镀需要很好的粘接时,紫外清洗非常理想。要获得超洁净的表面,只需要在传统清洗后,再用紫外臭氧清洗几分钟就可获得!
目前紫外臭氧清洗机的主要应用表面UV光清洗和表面UV光改质。
表面UV光清洗:利用紫外光以及由其产生的臭氧OZONE,对有机物质所起的光敏氧化分解作用,以达到去除粘附在物体表面上的有机化合物(碳氢化合物),获得超洁净的表面。
表面UV光改质:利用紫外光照射有机表面,在将有机物分解的同时,254nm波长的紫外光被物体表面吸收后,将表层的化学结构切断,光子作用产生原子氧会与被切断的表层分子结合,并将之变换成具有高度亲水性的官能基(如-OH,-CHO,-COOH),从而提高表面的浸润性。
主要应用:
石英/玻璃制品的表面清洗:液晶面板,等离子电视屏幕,彩色过滤片,光罩,棱镜,透镜,反射镜,平板电视等。
微电子产品的表面清洗:微型马达轴,磁头驱动架,光盘,光电器件,手机摄像头,微型喇叭/受话器震膜,半导体硅片,掩膜版。
精密集成电路的表面清洗:液晶显示器ITO,精密电路板,软性电路板接头,BGA基板的清洗,COG的清洗,COF(ILB)接合面的清洗,薄膜基板的清洗,金属基板的清洗,BGA基板与粘结垫的清洗。
在胶粘接或是印刷之前,对高分子聚合制品的表面改性:橡胶粘接,塑料汽车部件,透镜保护膜,塑料薄膜,树脂成型空气袋,IC包装,注射針接合部份的表面性,介入导管的表面改型等。
科研过程的表面清洗及处理:半导体,生物芯片,纳米材料,聚合物,光化学等。
产品特点
成本低;
✲120x120mm样品台;
✲zui大处理样品高14mm;
✲抽屉式样品台,简单方便;
✲样品台自动安全开关,打开UV自动关闭,防止对人身伤害; UVO显示器
✲LCD屏显示 已用时间 和 剩余时间 ;
✲60分钟定时器;
✲高强度UV灯源;
✲可控温的样品台;
✲样品清洗无需溶剂;
✲超净表面。
技术参数
在紫外线臭氧清洗前水滴在OTS-treated硅基质上(300纳米二氧化硅表面)(左)紫外臭氧清洗10分钟后(右)。
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