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Panc02细胞培养（Panc02血清、培养基）细胞包装：

复苏细胞（T25培养瓶×1常温运输）

冻存细胞（冻存管、干冰包装）

在III-V族半导体中，InSb化合物具有zui窄禁带宽度、【hCMEC/D3细胞通派细胞库】zui高电子迁移率、zui小有效质量和zui大g因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的理想材料。

由于InSb具有晶格常数大以及【HDMEC细胞通派细胞库】固有的n型导电性特征，难以找到合适衬底外延生长，通常人们采用缓冲层技术。

然而，【HEEC细胞通派细胞库】晶格失配引起的位错缺陷会沿着缓冲层向上延伸，甚至延伸至缓冲层表面，使得缓冲层表面不能形成的晶格结构，【HEK-A细胞通派细胞库】从而影响外延的InSb薄膜晶体质量。半个多世纪以来，高质量InSb材料制备一直是困扰研究人员们的难题。

利用分子束外延技术，【HepG2细胞通派细胞库】在Si衬底上生长出高质量纯相InAs纳米线，然后通过控制生长温度和束流比，创造性地在一维InAs纳米线上生长出了二维高质量InSb纳米片。

这种免缓冲层技术制备【HFL-I细胞通派细胞库】出来的立式InSb纳米片为纯闪锌矿单晶，结构中观察不到层错及孪晶等缺陷。

其长度和宽度达到微米量级（大于10微米）、【HFLS细胞通派细胞库】厚度可薄至10纳米。将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件，器件具有明显的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000cm2V-1s-1。

Panc02细胞培养（Panc02血清、培养基）

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细胞培养传代操作：【严格遵照无菌操作】

1、吸出原瓶中的培养基，PBS缓冲液润洗细胞两次，加胰酶（2-3ml0.25%）进行消化。

注意：胰酶消化时把握时间，通常控制在1-2min

2、镜下观察消化情况，在细胞边缘缩小，贴壁松动时去掉胰酶，加4-6ml完全培养基，轻轻吹打细胞层，尽量把细胞层吹落、吹散。

3、取部分细胞悬液转移到新的培养皿、瓶中，添加适当的完全培养基，把细胞悬液打匀，于培养箱中培养。

Panc02细胞培养（Panc02血清、培养基）