Pricing

Size	Productcode	Sizedescription*	Quantity(EA)	Price
Small	M2114A10	>10mm2	1	£396.00
Medium	M2114A25	>25mm2	1	£637.00
Large**	M2114A00	>100mm2	1	£1370.00

*typicalrepresentativesize,areas/dimensionsmayvary

**theleadtimeforlargecrystalsis4-6weeks

GeneralInformation

CASnumber	1315-01-1
Chemicalformula	SnS2
Molecularweight	182.83g/mol
Bandgap	2.2 eV[1]
Synonyms	Tin(IV)Sulfide,StannicSulfide,TinSulfide(S2Sn),MosaicGold
Classification/Family	Transitionmetaldichalcogenides(TMDCs),2Dsemiconductormaterials,Nano-electronics,Nano-photonics,Materialsscience

 

ProductDetails

Form	SingleCrystal
Preparation	Synthetic -ChemicalVapourTransport(CVT)
Purity	≥99.999%
Structure	2HHexagonal
Electronicproperties	2DSemiconductor
Meltingpoint	Decomposes
Colour	GoldYellow/orange

 

GeneralDescription

Tindisulfide (SnS₂)is a memberofthetransitionmetaldichalcogenides(TMDCs)family.Ithasalayeredstructure,whereeach SnioncoordinatestosixSionsinaregularoctahedron.EachsheetofSnatomsissandwichedbetweentwosheetsofSatoms,andeachS-Sn-SlayerisheldbyweakvandeVaalsinteractions.Likemanyother twodimensionalsemiconductors,SnS₂ canundergoexfoliationtoformatomic-layersheetsthathaveapplicationsinFETs,photovolaticsolarcells,sensorsandphotocatalystapplications. 

SnS₂ crystalliseswithastandardhexagonalcrystalstructure(2H-SnS₂) whichis identicaltothatof1T-MoS₂.Monolayersof2H-SnS₂arestackedpreciselyontopofoneanothertoformthe2H-polytypeofbulkSnS₂.Itisnotedthatthe2H-SnS₂ structureisdifferentfromthatof2H-MoS₂,wheretheMo atompossessesatrigonalprismaticcoordinationinstead.

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Applications

Intheformofsingleorfew-layerthinfilms, exfoliatedtindisulfidenanosheetsfindapplicationsrangingfromlightemitters,fieldeffecttransistors(FETs),gassensors,photodetectors,Thermoelectricandphotovoltaicdevices.

Synthesis

Tindisulfide (SnS₂) ismanufacturedusingchemicalvapourtransport(CVT)crystallisation,withcrystalshavingapurityinexcessof99.999%.

Usage

Tindisulfide singlecrystals canbeusedtopreparemonolayerandfew-layerSnS₂bymechanicalorliquidexfoliation. 

 

LiteratureandReviews

1. TinDisulfide—AnEmergingLayeredMetalDichalcogenideSemiconductor:MaterialsPropertiesandDeviceCharacteristics, Y,Huangetal.,ACSNano,8(10),10743–10755(2014);DOI:10.1021/nn504481r.
2. Low-FrequencyRamanSpectroscopyofFew-Layer2H-SnS2, T.Srivetal.,Sci.Rep.,810194(2018);DOI:10.1038/s41598-018-28569-6.
3. EffectofstrainonelectronicandmagneticpropertiesofFe-dopedmonolayerSnS2,Y.Liuetal.,Phy.Lett.A,381,1732–1737(2017);DIO:10.1016/j.physleta.2017.03.034.
4. ElectronicandopticalpropertiesofsinglecrystalSnS2:anearth-abundantdisulfidephotocatalyst,L.Burtonetal.,J.Mater.Chem.A,4,1312(2016);DOI:10.1039/c5ta08214e.
5. Large-SizeGrowthofUltrathinSnS2NanosheetsandHighPerformanceforPhototransistors,X.Zhouetal.,Adv.Funct.Mater.,26,4405–4413(2016);DOI:10.1002/adfm.201600318.

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Tothebestofourknowledgethetechnicalinformationprovidedhereisaccurate.However,ossilaassumenoliABIlityfortheaccuracyofthisinformation.Thevaluesprovidedherearetypicalatthetimeofmanufactureandmayvaryovertimeandfrombatchtobatch.

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